一、光刻機“nm”的含義
光刻機多少nm，有兩層含義：
光源波長：光刻機使用的曝光光源波長是多少，比如 g線光刻（436 nm）、i線光刻（365 nm）、KrF光刻（248 nm）、ArF光刻（193 nm）、EUV光刻（13.5 nm）。
支持的制程節(jié)點：光刻機通過光源、透鏡和工藝優(yōu)化后，能實現(xiàn)的最小特征尺寸是多少，即芯片制程工藝節(jié)點，比如 90 nm、28 nm、7 nm、3 nm。
需要注意：光刻機波長并不等于芯片工藝節(jié)點。例如，193 nm 的 ArF 浸沒式光刻機，配合多重圖形化技術(shù)（多重曝光、雙重圖形化、EUV 輔助等），依然能支持 7 nm 工藝。
二、光刻機主流波長與對應(yīng)水平
g線（436 nm）、i線（365 nm）光刻機
主要用于早期工藝（> 250 nm）。
現(xiàn)在仍用于部分 MEMS、LCD、LED 等領(lǐng)域。
KrF光刻機（248 nm）
可實現(xiàn)約 130 nm~90 nm 工藝節(jié)點。
在2000年代初期大量使用，現(xiàn)在用于一些成熟工藝和功率器件生產(chǎn)。
ArF干式光刻機（193 nm）
支持 90 nm~65 nm 工藝。
成熟工藝產(chǎn)線仍有需求。
ArF浸沒式光刻機（193 nm Immersion）
通過液體折射率提高數(shù)值孔徑（NA），分辨率大幅提升。
可直接支持 45 nm、32 nm 工藝，結(jié)合 雙重圖形化、多重圖形化 技術(shù)，延伸到 14 nm、10 nm，甚至 7 nm。
這就是為什么即便 EUV 稀缺，DUV 光刻機仍能在先進工藝中被大量使用。
極紫外光刻機（EUV, 13.5 nm）
分辨率大幅提升，可直接支持 7 nm 及以下工藝。
已經(jīng)用于 7 nm、5 nm、3 nm 節(jié)點的量產(chǎn)。
目前由荷蘭 ASML 獨家供應(yīng)，型號如 NXE:3400C/D、NXE:3600D、NXE:3800E。
高數(shù)值孔徑EUV（High-NA EUV, 13.5 nm, NA=0.55）
仍使用 13.5 nm 光源，但通過更大數(shù)值孔徑，實現(xiàn)更高分辨率。
可支持 2 nm、1.4 nm 節(jié)點的研發(fā)和生產(chǎn)。
ASML 已經(jīng)交付首臺 EXE:5000 給英特爾，預(yù)計 2026 年進入量產(chǎn)。
三、光刻機與芯片“nm”節(jié)點的關(guān)系
90 nm~65 nm：ArF干式光刻機即可完成。
45 nm~32 nm：ArF浸沒式光刻機成為主力。
28 nm~14 nm：依靠 ArF 浸沒式 + 多重曝光實現(xiàn)。
10 nm~7 nm：DUV 已經(jīng)到極限，必須引入 EUV 光刻機。
5 nm~3 nm：EUV 光刻機全面應(yīng)用，成為核心工具。
2 nm~1.4 nm（研發(fā)中）：需要 High-NA EUV。
四、目前光刻機的最高水平
截至 2025 年：
DUV 光刻機：最先進的 ArF 浸沒式光刻機仍在量產(chǎn)，應(yīng)用廣泛，支持至 7 nm（多重圖形化）。
EUV 光刻機：已實現(xiàn) 7 nm、5 nm、3 nm 量產(chǎn)。ASML 最新的 NXE:3800E 可實現(xiàn)更高產(chǎn)能與精度，已交付臺積電、三星、英特爾。
High-NA EUV 光刻機：首臺 EXE:5000 已交付，用于 2 nm 以下技術(shù)研發(fā)，預(yù)計 2026~2027 年實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
五、總結(jié)
光刻機到底多少nm，可以分為三個層次：
波長層面：
DUV：193 nm（主流）
EUV：13.5 nm（先進制程）
High-NA EUV：13.5 nm（更高NA，分辨率更高）
制程節(jié)點層面：
DUV 可支持 90 nm~7 nm（配合多重圖形化）
EUV 支持 7 nm~3 nm
High-NA EUV 將支持 2 nm~1.4 nm
行業(yè)現(xiàn)狀：
成熟工藝（28 nm 以上）主要靠 DUV。
先進工藝（7 nm 以下）必須依賴 EUV。
未來工藝（2 nm 以下）將依賴 High-NA EUV。
因此，光刻機“多少nm”不是單一數(shù)值，而是一個 波長—制程—技術(shù)的對應(yīng)關(guān)系。目前最高水平是 EUV 光刻機可用于 3 nm 量產(chǎn)，High-NA EUV 正向 2 nm 發(fā)展。
